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首页 全部分类 IXTP1N100 vs FQP2N90

IXTP1N100备选型号: FQP2N90

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTP1N100
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    11Ohm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 25μA
    400pF @ 25V
    14.5nC @ 10V
    19ns
    1000V
    ±30V
    18 ns
    1.5A
    TO-220AB
    30V
    1kV
    6A
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP2N90
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    2.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    7.2MOhm
    -
    未说明
    未说明
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    85W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    7.2 Ω @ 1.1A, 10V
    5V @ 250μA
    500pF @ 25V
    15nC @ 10V
    35ns
    -
    ±30V
    30 ns
    2.2A
    TO-220AB
    30V
    900V
    8.8A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    1.8g
    QFET®
    e3
    EAR99
    900V
    2.2A
    15 ns
    5V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
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