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首页 全部分类 IXTP1N100 vs FQP9N90C

IXTP1N100备选型号: FQP9N90C

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP1N100
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    11Ohm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 25μA
    400pF @ 25V
    14.5nC @ 10V
    19ns
    1000V
    ±30V
    18 ns
    1.5A
    TO-220AB
    30V
    1kV
    6A
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP9N90C
    ON Semiconductor
    MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1.4Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    205W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    2730pF @ 25V
    58nC @ 10V
    120ns
    -
    ±30V
    75 ns
    8A
    TO-220AB
    30V
    900V
    -
    900 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    1.8g
    QFET®
    e3
    通孔
    EAR99
    Tin (Sn)
    900V
    8A
    50 ns
    5V
    8A
    900V
    5 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
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