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首页 全部分类 IXTP1N80P vs STF3NK80Z

IXTP1N80P备选型号: STF3NK80Z

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP1N80P
    IXYS
    MOSFET Polar Power Mosfet 800V 1A
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Polar™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    14 Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 50μA
    250pF @ 25V
    9nC @ 10V
    ±20V
    1A
    TO-220AB
    20V
    1A
    800V
    2A
    75 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF3NK80Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    雪崩 额定
    -
    -
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5 Ω @ 1.25A, 10V
    4.5V @ 50μA
    485pF @ 25V
    19nC @ 10V
    ±30V
    2.5A
    TO-220AB
    30V
    -
    800V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    4.5Ohm
    800V
    2.5A
    STF3N
    17 ns
    27ns
    40 ns
    3.75V
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    无铅
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