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首页 全部分类 IXTP32P05T vs 2SJ652-1E

IXTP32P05T备选型号: 2SJ652-1E

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • IXYS
    IXTP32P05T
    IXYS
    MOSFET P-CH 50V 32A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    PURE TIN
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    39m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 250μA
    1975pF @ 25V
    46nC @ 10V
    50V
    ±15V
    32A
    TO-220AB
    0.039Ohm
    110A
    50V
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SJ652-1E
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    28A Ta
    150°C TJ
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    -
    38m Ω @ 14A, 10V
    -
    4360pF @ 20V
    80nC @ 10V
    60V
    ±20V
    28A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    3
    Single
    33 ns
    210ns
    180 ns
    20V
    -60V
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