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首页 全部分类 IXTP32P05T vs IRLIZ34NPBF

IXTP32P05T备选型号: IRLIZ34NPBF

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  • 资历状况
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 引脚数
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP32P05T
    IXYS
    MOSFET P-CH 50V 32A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    PURE TIN
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    39m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 250μA
    1975pF @ 25V
    46nC @ 10V
    50V
    ±15V
    32A
    TO-220AB
    0.039Ohm
    110A
    50V
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLIZ34NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 12A, 10V
    2V @ 250μA
    880pF @ 25V
    25nC @ 5V
    -
    ±16V
    22A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    3
    46mOhm
    55V
    20A
    Single
    31W
    8.9 ns
    10ns
    21 ns
    2V
    16V
    55V
    55V
    2kV
    2 V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
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