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首页 全部分类 IXTP36P15P vs STP40NF12

IXTP36P15P备选型号: STP40NF12

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • IXYS
    IXTP36P15P
    IXYS
    MOSFET P-CH 150V 36A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 18A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3100pF @ 25V
    55nC @ 10V
    31ns
    150V
    ±20V
    15 ns
    36A
    TO-220AB
    20V
    -150V
    90A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP40NF12
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    1880pF @ 25V
    80nC @ 10V
    63ns
    -
    ±20V
    28 ns
    40A
    TO-220AB
    20V
    120V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    120V
    40A
    STP40N
    28 ns
    0.032Ohm
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