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首页 全部分类 IXTP460P2 vs FDPF20N50

IXTP460P2备选型号: FDPF20N50

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTP460P2
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP2™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    480W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 12A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2890pF @ 25V
    48nC @ 10V
    500V
    ±30V
    24A
    TO-220AB
    30V
    0.27Ohm
    50A
    500V
    750 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF20N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    38.5W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    230m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    3120pF @ 25V
    59.5nC @ 10V
    -
    ±30V
    20A
    TO-220AB
    30V
    -
    80A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2.27g
    EAR99
    230MOhm
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    Single
    95 ns
    375ns
    105 ns
    500V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
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