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首页 全部分类 IXTP460P2 vs IRFB812PBF

IXTP460P2备选型号: IRFB812PBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTP460P2
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP2™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    480W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 12A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2890pF @ 25V
    48nC @ 10V
    500V
    ±30V
    24A
    TO-220AB
    30V
    0.27Ohm
    50A
    500V
    750 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB812PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    78W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    3.6A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.2Ohm
    Single
    14 ns
    22ns
    17 ns
    3V
    500V
    110 ns
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
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