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首页 全部分类 IXTP50N20PM vs BUZ30AHXKSA1

IXTP50N20PM备选型号: BUZ30AHXKSA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 端子位置
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP50N20PM
    IXYS
    MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 25A, 10V
    5V @ 250μA
    2720pF @ 25V
    70nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    30 ns
    20A
    TO-220AB
    20V
    0.06Ohm
    200V
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BUZ30AHXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2005
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    雪崩 额定
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    125W
    N-Channel
    -
    130m Ω @ 13.5A, 10V
    4V @ 1mA
    1900pF @ 25V
    -
    70ns
    ±20V
    -
    21A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    450 mJ
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SINGLE
    SINGLE
    无卤素
    200V
    84A
    无
    无铅
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