Infineon Technologies BUZ30AHXKSA1

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 25V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

21A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84A

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅