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首页 全部分类 IXTP50N25T vs RCX511N25

IXTP50N25T备选型号: RCX511N25

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXTP50N25T
    IXYS
    MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 25A, 10V
    5V @ 1mA
    4000pF @ 25V
    78nC @ 10V
    ±30V
    50A
    TO-220AB
    30V
    0.05Ohm
    250V
    1500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    RCX511N25
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 51A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    SILICON
    51A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 25.5A, 10V
    5V @ 1mA
    7000pF @ 25V
    120nC @ 10V
    ±30V
    51A
    TO-220AB
    -
    0.065Ohm
    -
    197.9 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8541.29.00.95
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    250V
    204A
    250V
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