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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥31.545287
10
¥29.759705
100
¥28.075193
500
¥26.486032
1000
¥24.986822
ON Semiconductor FDPF51N25YDTU
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- 对比
FDPF51N25YDTU
1807-FDPF51N25YDTU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
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MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDPF51N25YDTU详情
ON Semiconductor FDPF51N25YDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
引脚数
3
质量
2.565g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
51A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
38W Tc
Turn Off Delay Time
98 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
UniFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
元素配置
Single
功率耗散
38W
接通延迟时间
62 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
60m Ω @ 25.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3410pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
上升时间
465ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
130 ns
连续放电电流(ID)
51A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
250V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDPF51N25YDTU拓展信息
ON Semiconductor
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