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首页 全部分类 IXTP60N20T vs RCX450N20

IXTP60N20T备选型号: RCX450N20

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP60N20T
    IXYS
    MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Trench™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    unknown
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    500W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    4530pF @ 25V
    73nC @ 10V
    ±20V
    60A
    TO-220AB
    20V
    0.04Ohm
    200V
    150A
    700 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    RCX450N20
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 45A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    45A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    -
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    SINGLE
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 22.5A, 10V
    5V @ 1mA
    4200pF @ 25V
    80nC @ 10V
    ±30V
    45A
    TO-220AB
    -
    0.055Ohm
    -
    180A
    160 mJ
    ROHS3 Compliant
    未说明
    未说明
    200V
    200V
    无铅
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