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首页 全部分类 IXTP62N15P vs STP80NF12

IXTP62N15P备选型号: STP80NF12

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP62N15P
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 62A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    350W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 31A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2250pF @ 25V
    70nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    35 ns
    62A
    TO-220AB
    20V
    0.04Ohm
    150V
    150A
    1000 mJ
    9.15mm
    10.66mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP80NF12
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 250μA
    4300pF @ 25V
    189nC @ 10V
    145ns
    ±20V
    115 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    -
    120V
    -
    700 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    18mOhm
    120V
    80A
    STP80N
    2V
    无SVHC
    无
    无铅
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