STMicroelectronics STP80NF12

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Turn Off Delay Time

134 ns

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

系列

STripFET™ II

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

18mOhm

电压 - 额定直流

120V

额定电流

80A

基本部件号

STP80N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18m Ω @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

189nC @ 10V

上升时间

145ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

115 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

120V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

高度

15.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅