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首页 全部分类 IXTP96P085T vs STP80NF70

IXTP96P085T备选型号: STP80NF70

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXTP96P085T
    IXYS
    MOSFET P-CH 85V 96A TO-220
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    96A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    PURE TIN
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    298W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 48A, 10V
    4V @ 250μA
    13100pF @ 25V
    180nC @ 10V
    85V
    ±15V
    96A
    TO-220AB
    15V
    -85V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP80NF70
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    98A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.8m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2550pF @ 25V
    75nC @ 10V
    68V
    ±20V
    98A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    STP80N
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    17 ns
    60ns
    75 ns
    0.0098Ohm
    68V
    700 mJ
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