STMicroelectronics STP80NF70

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

98A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STP80N

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.8m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

68V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

98A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0098Ohm

DS 击穿电压-最小值

68V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant