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首页 全部分类 IXTQ140N10P vs IRFPS3810PBF

IXTQ140N10P备选型号: IRFPS3810PBF

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  • 无铅
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 接通延迟时间
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTQ140N10P
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
    24 Weeks
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    600W Tc
    PolarHT™
    2006
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    11MOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    600W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 70A, 10V
    5V @ 250μA
    4700pF @ 25V
    155nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    26 ns
    140A
    20V
    100V
    2500 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFPS3810PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
    25 Weeks
    TO-274AA
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    170A Tc
    HEXFET®
    2002
    Bulk
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    9Ohm
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -
    Single
    增强型MOSFET
    441W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 100A, 10V
    5V @ 250μA
    6790pF @ 25V
    390nC @ 10V
    270ns
    ±30V
    140 ns
    170A
    30V
    100V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    100V
    未说明
    170A
    未说明
    不合格
    24 ns
    670A
    100V
    330 ns
    5 V
    20.8mm
    16.0782mm
    5.3mm
    无SVHC
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