Infineon Technologies IRFPS3810PBF

工厂交货时间

25 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-274AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

580W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Bulk

系列

HEXFET®

已出版

2002

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

9Ohm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

100V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

170A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

441W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6790pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

390nC @ 10V

上升时间

270ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

140 ns

连续放电电流(ID)

170A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

670A

双电源电压

100V

恢复时间

330 ns

栅源电压

5 V

高度

20.8mm

长度

16.0782mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free