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IXTQ14N60P备选型号: STP11NM60ND
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P24 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON14A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yes活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)雪崩 额定600V未说明14A未说明3不合格Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING550m Ω @ 7A, 10V5.5V @ 250μA2500pF @ 25V36nC @ 10V27ns±30VP-CHANNEL26 ns14A30V0.55Ohm600V42A900 mJROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET N-CH 600V 10A TO-22016 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON10A Tc150°C TJTubeFDmesh™ II---活跃1 (Unlimited)3------3-Single增强型MOSFET90W-N-ChannelSWITCHING450m Ω @ 5A, 10V5V @ 250μA850pF @ 50V30nC @ 10V7ns±25V-9 ns10A25V-600V40A200 mJROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TinEAR99450mOhmSTP11N16 ns4VTO-220AB15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP11NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 对比 |
 | STW13NK60Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
 | STF10NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF10NM60N Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
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