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IXTQ30N50L备选型号: STF28NM50N
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P24 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-3SILICON30A Tc-55°C~150°C TJTube2007e3yes活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 15A, 10V4.5V @ 250μA10200pF @ 25V240nC @ 10V500V±20V30A0.2Ohm60A500V1500 mJROHS3 Compliant---------------------
MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP16 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON21A Tc150°C TJTube-e3-活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn) - annealed---3---增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING158m Ω @ 10.5A, 10V4V @ 250μA1735pF @ 25V50nC @ 10V-±25V21A-84A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3MDmesh™ IIEAR99158MOhmSTF28Single35W13.6 ns19ns52 ns3VTO-220AB25V500V16.4mm10.4mm4.6mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDA24N50 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN | 对比 |
 | IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 23A TO-220 | 对比 |
| STF28NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP | 对比 |
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