IXTQ30N50P备选型号: FDA24N50

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • JESD-30代码
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500V
    未说明
    30A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    460W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 15A, 10V
    5V @ 250μA
    4150pF @ 25V
    70nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    30A
    30V
    0.2Ohm
    500V
    75A
    1200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    2
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    270W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 12A, 10V
    5V @ 250μA
    4150pF @ 25V
    85nC @ 10V
    108ns
    ±30V
    86 ns
    24A
    30V
    -
    500V
    96A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6.401g
    EAR99
    190MOhm
    R-PSFM-T3
    47 ns
    5V
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
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