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首页 全部分类 IXTQ96N15P vs IPP075N15N3GXKSA1

IXTQ96N15P备选型号: IPP075N15N3GXKSA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTQ96N15P
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    96A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    480W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    3500pF @ 25V
    110nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    18 ns
    96A
    20V
    0.024Ohm
    150V
    250A
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP075N15N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    300W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 270μA
    5470pF @ 75V
    93nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    14 ns
    100A
    20V
    0.0075Ohm
    -
    400A
    780 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    25 ns
    无卤素
    TO-220AB
    150V
    无
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