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首页 全部分类 IXTQ96N15P vs IRFB4115PBF

IXTQ96N15P备选型号: IRFB4115PBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTQ96N15P
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    96A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    480W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    3500pF @ 25V
    110nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    18 ns
    96A
    20V
    0.024Ohm
    150V
    250A
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4115PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    104A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    镍外哑光锡
    -
    250
    30
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 62A, 10V
    5V @ 250μA
    5270pF @ 50V
    120nC @ 10V
    73ns
    ±20V
    39 ns
    104A
    20V
    -
    150V
    420A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    1
    18 ns
    5V
    TO-220AB
    150V
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
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