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IXTU02N50D备选型号: FQU4N50TU-WS
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 系列
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-25124 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON200mA Tc-55°C~150°C TJTube2006yes活跃1 (Unlimited)3EAR998541.29.00.95未说明未说明3R-PSIP-T3不合格Single1.1WDRAINN-ChannelSWITCHING30 Ω @ 50mA, 0V5V @ 25μA120pF @ 25V4ns±20V4 ns200mA20V0.2A500V0.8A耗尽模式ROHS3 Compliant--------
MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM8 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-2.6A Tc-55°C~150°C TJTube-yes活跃1 (Unlimited)--------Single2.5W-N-Channel-2.7 Ω @ 1.3A, 10V5V @ 250μA460pF @ 25V45ns±30V30 ns2.6A30V-500V--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)3343.08mgQFET®增强型MOSFET12 ns13nC @ 10V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU4N50TU-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM | 对比 |
| FDU6N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 6A IPAK | 对比 |
 | IPU50R3K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube | 对比 |
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