IXTU02N50D备选型号: IPU50R3K0CEBKMA1
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-25124 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON200mA Tc-55°C~150°C TJTube2006yes活跃1 (Unlimited)3EAR998541.29.00.95未说明未说明3R-PSIP-T3不合格Single1.1WDRAINN-ChannelSWITCHING30 Ω @ 50mA, 0V5V @ 25μA120pF @ 25V4ns±20V4 ns200mA20V0.2A500V0.8A耗尽模式ROHS3 Compliant-------------
- Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube-Surface Mount, Through Hole通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON1.7A Tc-55°C~150°C TJTube2013noObsolete3 (168 Hours)3--未说明未说明---Single--N-ChannelSWITCHING3 Ω @ 400mA, 13V3.5V @ 30μA84pF @ 100V5.8ns±20V49 ns1.7A20V-550V4.1A-符合RoHS标准3CoolMOS™ CE增强型MOSFET7.3 ns无卤素4.3nC @ 10V500V3Ohm18 mJ6.22mm6.73mm2.41mm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU4N50TU-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM | 对比 | |
| FDU6N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 6A IPAK | 对比 | |
![]() | IPU50R3K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube | 对比 |




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