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首页 全部分类 IXTU5N50P vs STD7N65M2

IXTU5N50P备选型号: STD7N65M2

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  • 底架
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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTU5N50P
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    4.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    N-Channel
    1.4 Ω @ 2.4A, 10V
    5.5V @ 50μA
    620pF @ 25V
    12.6nC @ 10V
    26ns
    ±30V
    24 ns
    4.8A
    TO-251
    30V
    5A
    500V
    10A
    250 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD7N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    1.15 Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    270pF @ 100V
    9nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    20 ns
    5A
    -
    25V
    -
    650V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    3
    3.949996g
    EAR99
    STD7
    1
    8 ns
    3V
    无SVHC
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