IXTX17N120L备选型号: SCT20N120
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 无铅
- MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS24724 WeeksTO-247-3通孔通孔3SILICON17A Tc2010Tube-55°C~150°C TJe1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜雪崩 额定未说明unknown未说明3不合格Single增强型MOSFET700WDRAINN-ChannelSWITCHING900m Ω @ 8.5A, 20V5V @ 250μA8300pF @ 25V155nC @ 15V39ns1200V±30V63 ns17A30V0.9Ohm1.2kV2500 mJROHS3 Compliant-------
- MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET-TO-247-3通孔通孔--20A Tc-Tube-55°C~200°C TJ--活跃1 (Unlimited)---未说明-未说明--Single---N-Channel-290m Ω @ 10A, 20V3.5V @ 1mA650pF @ 400V45nC @ 20V16ns1200V+25V, -10V17 ns20A25V-1.2kV-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)38.000013gEAR99SCT20110 ns无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STW21N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 | 对比 |
![]() | SCT20N120 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET | 对比 |
![]() | SCT10N120 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 | 对比 |




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