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首页 全部分类 IXTX32P60P vs FCH099N60E

IXTX32P60P备选型号: FCH099N60E

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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • HTS代码
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • IXYS
    IXTX32P60P
    IXYS
    MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarP™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 1mA
    11100pF @ 25V
    196nC @ 10V
    600V
    ±20V
    32A
    96A
    600V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH099N60E
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin TO-247 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    37A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    99m Ω @ 18.5A, 10V
    3.5V @ 250μA
    3465pF @ 380V
    114nC @ 10V
    600V
    ±20V
    37A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.39g
    EAR99
    8541.29.00.95
    Single
    24 ns
    23ns
    22 ns
    20V
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