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IXTY1R4N100P备选型号: STD2N105K5
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 配置
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-25224 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON1.4A Tc2011Polar™Tube-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET63WDRAINN-ChannelSWITCHING11 Ω @ 500mA, 10V4.5V @ 50μA450pF @ 25V17.8nC @ 10V35ns1000V±20V28 ns1.4A20V1kV3A100 mJROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-1.5A Tc-MDmesh™ K5Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJ--活跃1 (Unlimited)----未说明未说明-------N-Channel-8 Ω @ 750mA, 10V5V @ 100μA115pF @ 100V10nC @ 10V-1050V±30V-1.5A----ROHS3 Compliant无铅EAR99STD2N105Single- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 800V 4A DPAK | 对比 |
| STD2N105K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK | 对比 |
| FQD2N90TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | 对比 |
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