Infineon Technologies IPD80R1K4P7ATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

32W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 700μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 1.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 500V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

4A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.9A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

8 mJ

场效应管特性

超级交界处

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant