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首页 全部分类 IXTY1R6N100D2 vs FQD2N90TF

IXTY1R6N100D2备选型号: FQD2N90TF

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTY1R6N100D2
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    1.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Pure Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10 Ω @ 800mA, 0V
    645pF @ 25V
    27nC @ 5V
    1000V
    ±20V
    1.6A
    TO-252AA
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD2N90TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    7.2 Ω @ 850mA, 10V
    500pF @ 25V
    15nC @ 10V
    -
    ±30V
    1.7A
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    260.37mg
    QFET®
    900V
    1.7A
    Single
    2.5W
    15 ns
    5V @ 250μA
    35ns
    30 ns
    30V
    900V
    无
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