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IXTY1R6N100D2备选型号: STD2N105K5

IXTY1R6N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

24 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SILICON
1.6A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2011
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
Pure Tin (Sn)
SINGLE
鸥翼
未说明
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DRAIN
N-Channel
SWITCHING
10 Ω @ 800mA, 0V
645pF @ 25V
27nC @ 5V
1000V
±20V
1.6A
TO-252AA
耗尽模式
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
STD2N105K5

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

17 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
1.5A Tc
-55°C~150°C TJ
Cut Tape (CT)
-
-
活跃
1 (Unlimited)
-
-
-
-
未说明
未说明
-
-
-
Single
-
N-Channel
-
8 Ω @ 750mA, 10V
115pF @ 100V
10nC @ 10V
1050V
±30V
1.5A
-
-
ROHS3 Compliant
无铅
MDmesh™ K5
EAR99
STD2N105
5V @ 100μA
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