IXTY48P05T备选型号: IRFR1205TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 50V 48A TO-25217 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON48A Tc-55°C~150°C TJTubeTrenchP™2013活跃1 (Unlimited)2EAR99雪崩 额定SINGLE鸥翼4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING30m Ω @ 24A, 10V4.5V @ 250μA3660pF @ 25V53nC @ 10V50V±15V48ATO-252AA150A50VROHS3 Compliant无铅-------------------------
- MOSFET N-CH 55V 44A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON44A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004活跃1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE-鸥翼-R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 26A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V65nC @ 10V-±20V37ATO-252AA--ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTine3SMD/SMT27mOhm55V26037A30Single69W7.3 ns69ns60 ns4V20V20A55V55V98 ns4 V2.3876mm6.7056mm6.8mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR1205TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | 对比 |
![]() | STD35P6LLF6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 60V 35A DPAK | 对比 |




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