Infineon Technologies IRFR1205TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

107W Tc

Turn Off Delay Time

47 ns

已出版

2004

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

27mOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

55V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

37A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

69W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 26A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

37A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

恢复时间

98 ns

栅源电压

4 V

宽度

6.8mm

高度

2.3876mm

长度

6.7056mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free