IXUV170N075S备选型号: IRFS3107PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 终端
- ECCN 代码
- 接通延迟时间
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S表面贴装表面贴装PLUS-220SMD220175A TcBulk活跃1 (Unlimited)300WSingle300WN-Channel175A75V5.3mOhmROHS3 Compliant------------------------
- MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB399 nsTubeDiscontinued1 (Unlimited)-Single370WN-Channel230A75V-ROHS3 CompliantHEXFET®2008-55°C~175°C TJSMD/SMTEAR9919 ns3m Ω @ 140A, 10V4V @ 250μA9370pF @ 50V240nC @ 10V110ns±20V100 ns54 ns2.35V20V75V2.35 V9.65mm10.668mm4.826mm无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS7734TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK | 对比 |
![]() | STH240N75F3-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III | 对比 |
![]() | IRFS3107PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 对比 |





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