IXXH100N60C3备选型号: AUIRGPS4067D1

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • IGBT类型
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  • Td(开/关)@25°C
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • ECCN 代码
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  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    830W
    SINGLE
    IXX*N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    830W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    190A
    TO-247AD
    95 ns
    2.2V @ 15V, 70A
    220 ns
    PT
    150nC
    380A
    30ns/90ns
    2mJ (on), 950μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 240A 750W TO-274
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V
    2.05V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    750W
    -
    -
    -
    R-PSIP-T3
    -
    -
    750W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.05V
    240A
    TO-274AA
    127 ns
    2.05V @ 15V, 120A
    281 ns
    Trench
    360nC
    360A
    69ns/198ns
    8.2mJ (on), 2.9mJ (off)
    20V
    6.5V
    符合RoHS标准
    247
    EAR99
    82ns
    Single
    COLLECTOR
    69 ns
    360 ns
    48ns
    20.8mm
    16.1mm
    5.5mm
    无铅
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