IXXH100N60C3备选型号: IGW75N60TFKSA1

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  • JESD-30代码
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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    830W
    SINGLE
    IXX*N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    830W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    190A
    TO-247AD
    95 ns
    2.2V @ 15V, 70A
    220 ns
    PT
    150nC
    380A
    30ns/90ns
    2mJ (on), 950μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 150A 428W TO247-3
    16 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    400V, 75A, 5 Ω, 15V
    -
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    SINGLE
    -
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    -
    -
    TO-247AD
    69 ns
    2V @ 15V, 75A
    401 ns
    沟渠现场停车
    470nC
    225A
    33ns/330ns
    4.5mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    NO
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    COLLECTOR
    428W
    600V
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