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首页 全部分类 IXXH30N60B3 vs STGW30H60DFB

IXXH30N60B3备选型号: STGW30H60DFB

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 质量
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXXH30N60B3
    IXYS
    IGBT 600V TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    270W
    Standard
    270W
    N-CHANNEL
    1.85V
    60A
    1.85V @ 15V, 24A
    PT
    39nC
    115A
    23ns/97ns
    550μJ (on), 500μJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30H60DFB
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    260W
    Standard
    260W
    -
    600V
    60A
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    149nC
    120A
    37ns/146ns
    383μJ (on), 293μJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    38.000013g
    1.55V
    EAR99
    未说明
    未说明
    STGW30
    Single
    53 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无铅
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