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首页 全部分类 IXXH50N60C3D1 vs IXGH48N60C3

IXXH50N60C3D1备选型号: IXGH48N60C3

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  • IGBT类型
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 输入电容
  • IXYS
    IXXH50N60C3D1
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    600W
    IXX*N60
    3
    Single
    600W
    COLLECTOR
    Standard
    24 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    25 ns
    TO-247AD
    69 ns
    2.3V @ 15V, 36A
    170 ns
    PT
    64nC
    200A
    24ns/62ns
    720μJ (on), 330μJ (off)
    20V
    5.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH48N60C3
    IXYS
    IGBT 600V 75A 300W TO247AD
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    6.500007g
    SILICON
    600V
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    300W
    IXG*48N60
    3
    Single
    300W
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    -
    -
    45 ns
    2.5V @ 15V, 30A
    187 ns
    PT
    77nC
    250A
    19ns/60ns
    410μJ (on), 230μJ (off)
    20V
    5.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    R-PSFM-T3
    1.96nF
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