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首页 全部分类 IXXX100N60B3H1 vs IRGP4066D-EPBF

IXXX100N60B3H1备选型号: IRGP4066D-EPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终止次数
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  • 上升时间-最大值
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXXX100N60B3H1
    IXYS
    IGBT 600V 200A 695W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    695W
    unknown
    Standard
    695W
    N-CHANNEL
    1.8V
    200A
    140 ns
    1.8V @ 15V, 70A
    PT
    143nC
    440A
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4066D-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 140A 454W TO247AD
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    454W
    -
    Standard
    454W
    N-CHANNEL
    2.1V
    140A
    155 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    Trench
    150nC
    225A
    50ns/200ns
    2.47mJ (on), 2.16mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7V
    3
    EAR99
    90ns
    Single
    COLLECTOR
    50 ns
    电源控制
    TO-247AD
    120 ns
    310 ns
    80ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.13mm
    无SVHC
    无
    无铅
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