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首页 全部分类 IXXX100N60B3H1 vs IXXR100N60B3H1

IXXX100N60B3H1备选型号: IXXR100N60B3H1

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 无铅
  • IXYS
    IXXX100N60B3H1
    IXYS
    IGBT 600V 200A 695W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    695W
    unknown
    Standard
    695W
    N-CHANNEL
    1.8V
    200A
    140 ns
    1.8V @ 15V, 70A
    PT
    143nC
    440A
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXR100N60B3H1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    400W
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.8V
    145A
    140 ns
    1.8V @ 15V, 70A
    PT
    143nC
    440A
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    1.5V
    3
    150°C
    -55°C
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    400W
    ISOLATED
    电源控制
    92 ns
    350 ns
    无铅
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