IXXX160N65C4备选型号: IXXH100N60B3

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 无铅
  • IXYS
    IGBT Transistors 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.7V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    GenX4™, XPT™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    940W
    160N65
    Single
    940W
    Standard
    N-CHANNEL
    2.1V
    290A
    2.1V @ 15V, 160A
    PT
    422nC
    800A
    52ns/197ns
    3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    GenX3™, XPT™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    830W
    IXX*N60
    -
    830W
    Standard
    N-CHANNEL
    1.8V
    220A
    1.8V @ 15V, 70A
    PT
    143nC
    480A
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    28 Weeks
    6.500007g
    SILICON
    3
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    电源控制
    TO-247AD
    92 ns
    350 ns
    无铅
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