IXXX160N65C4备选型号: IXXH110N65C4
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- 底架
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- 包装/外壳
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT Transistors 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT通孔通孔TO-247-3650V1.7V-55°C~175°C TJTube2013GenX4™, XPT™e3活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn)940W160N65Single940WStandardN-CHANNEL2.1V290A2.1V @ 15V, 160APT422nC800A52ns/197ns3.5mJ (on), 1.3mJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant----
- IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT通孔通孔TO-247-3650V1.98V-55°C~175°C TJTube2015GenX4™, XPT™-活跃1 (Unlimited)-880W110N65Single880WStandardN-CHANNEL2.35V234A2.35V @ 15V, 110APT180nC600A35ns/143ns2.3mJ (on), 600μJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant28 Weeks3无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXXH110N65C4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |
![]() | IXXX110N65B4H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |
![]() | IXXH100N60B3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp | 对比 |




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