我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXYA8N90C3D1备选型号: IRGS10B60KDPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode28 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.946308g900V2.5V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2014e3活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn)125Wnot_compliantSingleStandard125WN-CHANNEL2.5V20A114 ns2.5V @ 15V, 8A13.3nC48A16ns/40ns460μJ (on), 180μJ (off)20V6VROHS3 Compliant-----------------------
IGBT 600V 22A 156W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-600V1.8V-55°C~150°C TJTube-2012e3Obsolete1 (Unlimited)Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier156W-SingleStandard-N-CHANNEL2.2V22A90 ns2.2V @ 15V, 10A38nC44A30ns/230ns140μJ (on), 250μJ (off)20V5.5V符合RoHS标准3SILICON2EAR99600V鸥翼26022A30IRGS10B60KDPBFR-PSSO-G2156WCOLLECTORMOTOR CONTROL20ns50 ns276 nsNPT4.699mm10.668mm9.652mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS10B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 22A 156W D2PAK | 对比 |
 | STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
| IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |
哦! 它是空的。