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IXYA8N90C3D1备选型号: IRGS4715DPBF
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IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode28 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.946308g900V2.5V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2014e3活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn)125Wnot_compliantSingleStandard125WN-CHANNEL2.5V20A114 ns2.5V @ 15V, 8A13.3nC48A16ns/40ns460μJ (on), 180μJ (off)20V6VROHS3 Compliant--------
IGBT 650V D2-PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-400V, 8A, 50 Ω, 15V1.7V-40°C~175°C TJTube-2014-Obsolete1 (Unlimited)-100W-SingleStandard100W-2V21A86 ns2V @ 15V, 8A30nC24A30ns/100ns200μJ (on), 90μJ (off)--符合RoHS标准3EAR99未说明未说明9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS10B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 22A 156W D2PAK | 对比 |
 | STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
| IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |
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