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首页 全部分类 IXYH100N65C3 vs FGH75T65UPD-F085

IXYH100N65C3备选型号: FGH75T65UPD-F085

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  • 端子表面处理
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • IXYS
    IXYH100N65C3
    IXYS
    IGBT 650V 200A 830W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    650V
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    830W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    830W
    2.3V
    200A
    2.3V @ 15V, 70A
    PT
    164nC
    420A
    28ns/106ns
    2.15mJ (on), 840μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH75T65UPD-F085
    ON Semiconductor
    IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    650V
    2.21V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    375W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    375W
    650V
    150A
    2.3V @ 15V, 75A
    沟渠现场停车
    578nC
    225A
    32ns/166ns
    2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    71ns
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    85 ns
    TO-247AB
    87 ns
    197 ns
    20V
    7.5V
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