ON Semiconductor FGH75T65UPD-F085

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.21V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 75A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

375W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

上升时间-最大值

71ns

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

375W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

150A

反向恢复时间

85 ns

JEDEC-95代码

TO-247AB

接通时间

87 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

197 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

578nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

32ns/166ns

开关能量

2.85mJ (on), 1.2mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant