IXYH30N65C3H1备选型号: IRGP30B60KD-EP
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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- 无铅
- IGBT 650V 60A 270W TO24714 WeeksTO-247-3通孔通孔38.000013g650V2.35V2014GenX3™, XPT™Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)270WSingleStandard270W2.7V60A120 ns2.7V @ 15V, 30APT44nC118A21ns/75ns1mJ (on), 270μJ (off)ROHS3 Compliant--------------------
- IGBT 600V 60A 304W TO247AD14 WeeksTO-247-3通孔通孔-600V2.35V2004-Tube-55°C~150°C TJ最后一次购买1 (Unlimited)304WSingleStandard-2.35V60A125 ns2.35V @ 15V, 30ANPT102nC120A46ns/185ns350μJ (on), 825μJ (off)ROHS3 Compliant3SILICON3EAR99600V60A304WCOLLECTOR46 nsMOTOR CONTROL28nsN-CHANNELTO-247AD74 ns237 ns20V5.5V42ns无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| FGH30T65UPDT-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 60A 250W TO247-3 | 对比 | |
![]() | IRGP30B60KD-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 304W TO247AD | 对比 |





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