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首页 全部分类 IXYH40N120B3 vs APT35GP120BG

IXYH40N120B3备选型号: APT35GP120BG

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 额定电流
  • 元素配置
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYH40N120B3
    IXYS
    IGBT 1200V 96A 577W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    577W
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    22 ns
    577W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.9V
    96A
    TO-247AD
    1200V
    84 ns
    2.9V @ 15V, 40A
    411 ns
    87nC
    200A
    22ns/177ns
    2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT35GP120BG
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 96A 543W TO247
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    543W
    -
    3
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.9V
    96A
    TO-247AD
    1200V
    36 ns
    3.9V @ 15V, 35A
    222 ns
    150nC
    140A
    16ns/94ns
    750μJ (on), 680μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.2kV
    96A
    Single
    PT
    20V
    6V
    无
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